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结衣波多野家庭教师 科学家打造新式半导体薄膜晶体管,能在垂直地方杀青接近无礼貌的堆叠
发布日期:2024-08-15 04:54    点击次数:164

结衣波多野家庭教师 科学家打造新式半导体薄膜晶体管,能在垂直地方杀青接近无礼貌的堆叠

近日结衣波多野家庭教师,沙特阿卜杜拉国王科技大学李晓航教悔和团队,开拓出一款低温金属氧化物 3D 薄膜晶体管堆叠时候,概况在垂直方朝上进行果真无礼貌的堆叠。

图 | 李晓航(开首:李晓航)

由于本次时候和业界时候概况彼此兼容,因此在水平方朝上也能兼容 12 英寸甚而更大的工艺。

在这一时候的匡助之下,他们打造出一个 10 层的金属氧化物半导体薄膜晶体管,让晶体管的密度和着力杀青了最大化,并能缩短互联散热的问题。

通过此,他们开拓出一种低温金属氧化物 3D 薄膜晶体管堆叠时候,为电子时候的发展奠定了一定基础。

(开首:Nature Electronics)

瞻望这一着力将能用于以下范畴:

其一,能用于迁徙成就。

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跟着迁徙成就愈发变得复杂,其关于高性能和高能效组件的需求也在日益增多。

而本次时候概况鼓吹智高手机、平板电脑和可一稔成就的发展,提供更强的处理才调、更长的电板寿命和更紧凑的缱绻。

并能复旧在迁徙平台上杀青增强施行、捏造施行和东说念主工智能等应用。

其二,能用于。

物联网生态系统依赖于精深畅通成就,而这些畅通成就需要具备紧凑、节能、能及时数据处理等特色。

而本次时候能让物联网成就以较低的功耗、更高的可靠性进行初始,从而概况促进物联网搞定决策杀青更灵验、更浅显的部署,进而用于智能家居、工业自动化、医疗保健和环境监测等范畴。

其三,能用于东说念主工智能和机器学习。

关于东说念主工智能应用和机器学习应用来说,它们关于计较才和解数据处理才调有着较高条目。

而本次时候不错提供更快的处理速率、以及更低的能耗,从而有助于磨练和部署复杂的模子,进而能让自动驾驶、、预测分析应用变得更智能和更快速。

其四结衣波多野家庭教师,能用于汽车电子居品。

关于咫尺的新动力汽车来说,它们集成了自动驾驶系统和信息文娱系统,而本次时候不错为这些系统提供必要的计较才调。

其五,能用于医疗成就。

在医疗范畴,要念念打造便携式会诊器具、可一稔健康监测器、以及可植入成就,就必须使用高效、紧凑的成就。

而本次时候概况匡助普及这些医疗成就的性能,并能磨蹭其体积,从而拓展其灵验性和应用领域。

那么,该团队基于怎样的原因开展了这一商讨?

据先容,往日几十年尽管晶体管在水平方朝上不断磨蹭,但也冉冉达到其物理极限和性能极限,四色播这极大减缓了摩尔定律的不断,同期导致了制形资本的急剧普及。

若是不行在水平方朝上快速增多晶体管的密度,那么垂直地方的堆叠尺度,就会成为最有但愿增多晶体管密度的尺度。

一些半导体公司比如台积电和英特尔、以及关系商讨机构比如比利时微电子商讨中心齐在从事该类商讨。

而该课题组则但愿开拓一种能和业界时候兼容的新式堆叠时候,以便大幅地增多晶体管密度,从而让摩尔定律取得高速发展。

然而,要念念杀青上述目的,依旧濒临一些待搞定的问题:

其一,处理才调有限。即平面晶体管礼貌了每个单元面积的晶体管数目,进而礼貌了成就的性能。

其二,高能较耗。即平面晶体管由于互联距离较长,毒害了精深动力。

其三,存在散热问题。即平面晶体管的互联会产生精深的热量,因此需要通过灵验的热经管来保执性能。

要念念搞定上述问题:

当先,得增多晶体管密度。即期骗垂直堆叠的神色,在给定区域之内集成更多的晶体管;

其次,得普及能效。即开拓一种低功耗、高性能的晶体管;

再次,得改善热经管。即通过材料遴荐和结构缱绻,产生最小的热量,从而改善散热问题。

基于此,在本次商讨的材料遴荐上,该团队挑选了那些领有优异电学性情、以及概况兼容低温工艺的材料,并针对材料的界面鄙俗度和劣势密度加以礼貌。

具体来说,课题组使用氧化铟(In2O3)行为半导体材料,原因在于其领有优异的电学性情和室温工艺性。

为了进一步优化缱绻决策,该团队遴荐聚对二甲苯-C 来行为低介电常数和室温千里积才调的介电材料,以便概况收效地开拓出低温晶体管堆叠时候。

为了造出这种 10 层晶体管,课题组开拓出一种兼容 CMOS 工艺的、无键合的 3D 垂直集成工艺,并优化了材料千里积和器件结构,亦通过关系实验考证了晶体管的性能。

最终,关系论文以《三维集成金属氧化物晶体管》(Three-dimensional integrated metal-oxide transistors)为题发在 Nature Electronics[1]。

图 | 关系论文(开首:Nature Electronics)

萨拉瓦南·尤瓦拉贾(Saravanan Yuvaraja)是第一作家,李晓航担任通信作家。

参考贵寓:

1.Yuvaraja, S., Faber, H., Kumar, M.et al. Three-dimensional integrated metal-oxide transistors. Nat Electron (2024). https://doi.org/10.1038/s41928-024-01205-0

运营/排版:何晨龙

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